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型号 IPB039N10N3 G E8187
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
IPB039N10N3 G E8187 PDF
代理商 IPB039N10N3 G E8187
标准包装 1,000
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 160A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 3.9 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 160µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 117nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 8410pF @ 50V
功率 - 最大 214W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商设备封装 PG-TO263-7
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPB039N10N3 G E8187-ND
IPB039N10N3GE8187ATMA1
SP000939340
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